سامسونج تتقدم سريعا وبخطي ثابتة في طريق صناعة المعالجات الخاصة بها ويبدو انها لاتريد اضاعة الوقت لتقديم الجديد عام 2013 وبعد التأكد من خطط سامسونج لتوسعة المصنع الخاص بانتاج الرقاقات في مدينة أوستن بولاية تكساس الامريكية حيث سجلت الشركة أيضا أول تجربة لرقاقة FinFET بتقنية 14 نانومتر و التصميم الجديد هو منافس قوي لمعالج إنتل - Tri Gate- بتقنية 22 نانومتر الذي وجد علي معالج Ivy Bridge والذي تم الاعلان عنه من شركة انتل والتصميم الجديد من رقاقة سامسونج يقدم لنا قوة كبيرة وتحسينات في الأداءمع انخفاض كبير في استهلاك الطاقة مقارنة مع التصاميم الحالية كما ينتقل بالتكنولوجيا من تقنية الترانزستورات ثنائية الابعاد الي الترنزستورات ثلاثية الابعاد وتشارك شركة ARM لصناعة المعالجات شركة سامسونج في الاختبار الجديد . و يعتبرهذا مؤشر جيد على أننا سوف نشهد جيل جديد من الرقاقات بتقنية جديدة عاجلا وليس آجلا تساهم في دفع عجلة التقدم التكنولوجي في مجال الاليكترونيات الي مستويات جديدة
مواضيع مشابهة قد تهمك ايضا :
مدون مصري مهتم بالتقنية بشكل عام ونظام الاندرويد بشكل خاص
اذا كنت تظن ان الذاكرة العشوائية للهاتف 1 او حتي 2 جيجا لاتكفي مع التطور في الانظمة الذكية والكم الهائل من التطبيقات والالعاب وملفات ال...
0 التعليقات:
إرسال تعليق